RAM-Vergleich SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Gesamtnote

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

37 73

Rund um 49% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.6 9.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.2 14.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 17000

Rund um 1.25 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2438 1843

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns