RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
34
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
12.2
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2786
2898
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link