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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
35
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
13.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2852
2987
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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