RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.4
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2657
2372
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link