RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
36
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2657
3288
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link