RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
36
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.1
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2657
3020
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
AMD R934G2401U1S 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link