RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
10.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2657
2527
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link