RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
36
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
6.0
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2657
1851
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link