SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

Gesamtnote
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Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

Unterschiede

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 11.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 21300
    Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    34 left arrow 37
    Rund um -9% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    37 left arrow 34
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.3 left arrow 15.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 11.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2973 left arrow 2962
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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