RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
38
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2382
2179
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link