RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB vs Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Gesamtnote
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
4.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
38
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
38
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
9.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
4.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2382
1265
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link