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SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
58
68
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
1,938.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
58
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,773.8
4,402.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,938.9
2,013.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
861
701
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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