RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
60
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1955
2554
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link