RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
48
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1955
2892
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link