RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
48
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1955
2871
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link