RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
48
Rund um -118% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1955
2801
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link