RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
58
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.2
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.4
14.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1718
3564
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT102464BF1339.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link