RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
51
Rund um -168% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
14.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
3066
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link