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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
51
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
11.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
2676
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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