RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
51
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
3024
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link