RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
65
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
2058
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link