RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
51
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
3147
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link