RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
51
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.6
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
22.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
16.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
3837
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link