RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
51
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.6
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
22.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
16.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
3837
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link