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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
51
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
7.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
1827
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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