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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
53
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
2356
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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