RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
51
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
3147
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link