RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
41
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
14.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
2938
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link