SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Unterschiede

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 41
    Rund um -37% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.6 left arrow 11.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.9 left arrow 7.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    41 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    11.6 left arrow 17.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.3 left arrow 13.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1438 left arrow 3473
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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