RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
41
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
3462
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link