RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
41
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
10.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
2429
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link