RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
41
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
3171
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link