RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
41
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
2989
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link