RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
41
Rund um -116% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
14.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
3626
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link