RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
76
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
6.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
1260
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link