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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1314
3268
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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