RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
14.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1314
3587
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP512U64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link