RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
43
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1314
3377
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link