SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Gesamtnote
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Unterschiede

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 43
    Rund um -43% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16 left arrow 10.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.3 left arrow 6.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    23400 left arrow 10600
    Rund um 2.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    43 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.7 left arrow 16.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.8 left arrow 12.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1314 left arrow 2709
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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