RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
43
Rund um -43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1314
2341
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link