RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
38
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.8
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1406
3364
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link