RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
38
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
10.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1406
2706
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link