RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
38
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
15.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1406
3541
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link