RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
38
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1406
3648
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link