RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
40
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1406
2254
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link