RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
38
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1406
2913
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link