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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
39
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
7.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1775
1770
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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