RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
75
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
1717
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link