RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
43
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
3023
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link