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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
43
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
2930
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
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