RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
2823
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link